도체연구소 DRAM TD1팀 > 인테리어비용대출

임성수DS부문CTO 반도체연구소 DRAM TD1팀 부사장(46세)은 D램 제품 공정 집적 전문가로, D램 스케일링의 한계 극복을 위한 세계최초의 VCT의 개발을 주도해 왔다.

VCT는 트랜지스터를 수평으로 배치하던 기존 D램과 달리, 트랜지스터를 수직으로 집적해 셀 밀도를 획기적으로 끌어올린 차세대 메모리다.

DS부문메모리사업부 DRAM설계3그룹장 배승준 부사장은 DRAM I/O 회로 설계 전문가로 DRAM 제품의 고속 I/O 특성 확보에 기여하며 업계 최고속 10.

7Gbps LPDDR5x 개발 등 DRAM 제품 경쟁력 강화를 주도했다.

이수역 헤리드 모델하우스

LSI사업부 RF개발팀장 유상민 부사장은 Cellular 및 Connectivity RF 설계 전문가로 5G RFIC 제품 성능.

(MX) <삼성전자DS부문> ◇ 부사장 승진 ▲ 강희성 권오겸 권혁준 김용성 김종훈 김준석 박재성 배승준 유상민 이상현 이화성 임성수 ▲ 고상도 고종현 권민호 권영호 김길섭 김도형 김우일 김재현 김형수 남인호 노대용 문광진 박일한 박재헌 백상훈 심재황 안덕민 윤창빈 은형래 이경우 이인학 이창수 임경욱.

삼성 미래사업기획단은 초대단장으로 당시 삼성SDI 이사회에 있던 전영현 부회장을 영입했는데 지난 5월 전 부회장이 삼성전자DS부문장 겸 부회장으로 자리를 이동하며 경계현DS부문장(사장)이 미래사업기획단을 맡게 됐다.

전현직 반도체 사업부 임원들이 약 6개월 정도 거치던 부서이다보니 삼성의 미래.

(MX) <삼성전자DS 부문> ◇ 부사장 승진 △ 강희성 권오겸 권혁준 김용성 김종훈 김준석 박재성 배승준 유상민 이상현 이화성 임성수 ◇ 상무 승진 △ 고상도 고종현 권민호 권영호 김길섭 김도형 김우일 김재현 김형수 남인호 노대용 문광진 박일한 박재헌 백상훈 심재황 안덕민 윤창빈 은형래 이경우 이인학.

이번 인사에서 40대 부사장 승진자 중 최연소자는DS부문CTO 반도체연구소 D램 TD1팀 임성수 부사장이다.

만 46세인 임 부사장은 D램 제품 공정 인터그레이션 전문가로서 D램 스케일링 한계 극복을 위한 세계 최초 수직 채널 트랜지스터(VCT) 개발을 주도해 미래 경쟁력을 확보했다는 평가를 받는다.

LSI사업부 RF개발팀장 유상민 부사장은 셀룰러·커넥티비티 RF 설계 전문가로 5G RFIC 제품 성능 향상과 RFFE, Radar 등 선행기술 확보를 주도했다.

DS부문제조·기술담당 파운드리 YE팀 PIE1그룹장 이화성 부사장은 로직 제품·인터그레이션 전문가로 꼽힌다.

로직 4나노 제품 수율 램프업, 신규 공정.

DS부문제조&기술담당 8인치제조기술팀장 권오겸(47) 부사장은 로직 소자와 공정기술 전문가로 개발부터 양산 안정화, 고객 대응까지 프로세스 전반을 이끌며 레거시 제품 성능 및 사업 경쟁력을 강화했다는 평을 받았다.

◆여성 8명·외국인 1명 승진…다양성 확대 삼성전자는 성별, 국적을 불문하고.

부사장 승진자로는 홍주선(53) 디바이스경험(DX)부문 생활가전(DA)사업부 회로개발그룹장, 스마트폰 선행 디자인 전문가인 부민혁(51) 모바일경험(MX)사업부 Advanced디자인그룹장, 업계 최고속 10.

7Gbps LPDDR5x 개발 등 D램 제품 경쟁력 강화를 주도한 배승준(48) 디바이스경험(DS)부문메모리사업부.

DS부문에서는 메모리와 파운드리(반도체 위탁생산), 시스템LSI 사업부별 전문가들이 부사장으로 승진했다.

메모리사업부에서는 배승준 D램설계3그룹장(48)이 부사장으로 승진했다.

배 부사장은 D램 I/O 회로 설계 전문가로 업계 최고속도 10.

8Gbps 저전력더블데이터레이트(LPDDR)5X 개발 등 D램 제품.